半導體設備 O 型圈的性能要求遠超普通工業密封件，需滿足超高潔凈度與極端環境適應性。材質純度是首要指標，必須采用低析出物氟橡膠（如全氟醚橡膠 FFKM），其金屬離子含量≤10ppb，揮發分（150℃×24h）≤0.1%，避免污染物影響晶圓良率。在化學兼容性方面，需耐受刻蝕工藝中的腐蝕性氣體（如 NF3、Cl2）與有機溶劑（如異丙醇），經過 1000 次暴露循環后，O 型圈的質量損失率需≤1%。

尺寸精度控制嚴苛，半導體設備 O 型圈的截面直徑公差需達到 ±0.02mm，圓度偏差≤0.01mm，以確保在超高真空環境（≤10-7Pa）下的密封可靠性。對于快速熱退火爐等設備，O 型圈需承受 - 70℃~300℃的極端溫度循環，熱膨脹系數需穩定在 8×10-5/℃左右，避免因尺寸劇變導致真空泄漏。此外，表面特性至關重要，通過等離子體處理可使 O 型圈表面粗糙度 Ra≤0.1μm，減少顆粒吸附（粒徑≥0.5μm 的顆粒數≤10 個 / 件）。在安裝環節，需在 Class 10 級潔凈室中采用防靜電鑷子操作，避免 O 型圈沾染微塵，同時通過氦質譜檢漏儀檢測泄漏率（≤1×10-9 Pa?m3/s），確保滿足半導體制造的超高潔凈標準。